CVD管式炉的简介
CVD管式炉由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。可实现高真空状态下、混合气体化学气相沉积和扩散试验。
CVD管式炉主要用于高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD/CVI实验，特别适用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备、纳米线生长、电池材料干燥烧结等场所。
CVD管式炉是在高温条件下通过一定的化学反应将物质转化成固态薄膜的一种重要设备。它广泛应用于材料科学研究、能源、电子、国防等领域。
CVD管式炉能够在高温下提供稳定的加热环境，促进化学反应，合成高质量的固态薄膜。
PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
CVD设备厂区实拍
pecvd设备实拍
CVD管式炉特点
1.薄膜沉积速率高：射频辉光技术，大大的提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10Å/S;
2. 大面积均匀性高：采用了先进的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%;
3. 一致性高：用半导体行业的先进设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%;
4. 工艺稳定性高：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定;
5.智能CVD设备是目前最新型的一款设备，将所有的控制部分集为一体，此款设备是博纳热获得专利的设备。高温真空加热炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统。电气元件采用优质的进口产品，做到高性能、免维护，提高了设备质量的可靠性。
6.适用范围宽:金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜，连续生长各种薄膜等。增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能。
CVD管式炉的组成结构
CVD管式炉的组成结构包括以下几个主要部分：
炉体：
炉体是CVD管式炉的主体结构，通常采用高温合金材料制造，能够承受高温和高压。
加热系统：
加热系统是CVD管式炉的核心部分，通常采用辐射加热方式，通过高温电热元件将电能转化为热能。
反应室：
反应室是CVD管式炉的核心部件，它是一个密闭的、能够控制气氛的容器。反应室内部通常安装有热电偶和温度控制器。
气体系统：
气体系统是CVD管式炉的重要组成部分，用于控制气体的流入和流出，保证化学反应的顺利进行。
控制系统：
控制系统是CVD管式炉的关键部分，用于控制设备的运行和化学反应的过程。
安全保护系统：
安全保护系统用于确保设备运行的安全性和稳定性。
CVD设备
CVD管式炉的工作原理
CVD管式炉在高温条件下通过一定的化学反应将物质转化成固态薄膜。具体过程如下：在高温下，气态物质经过化学反应生成固态物质，并在基材表面沉积。这个过程可以通过调节温度、气氛和时间等参数来控制薄膜的生长和性质。
CVD管式炉的应用领域
材料科学研究：
CVD管式炉可用于合成各种高质量、高性能的材料，如半导体材料、超导材料、陶瓷材料等。
能源领域：
CVD管式炉可用于制造太阳能电池、燃料电池等新能源器件。
电子领域：
CVD管式炉可用于制造各种电子器件，如半导体器件、集成电路等。
国防领域：
CVD管式炉可用于制造各种高性能的合金材料和复合材料，用于制造国防装备和武器。
CVD管式炉是一种重要的实验设备，在材料科学、能源、电子、国防等领域有着广泛的应用。它具有高温、高压环境、高质量薄膜、多样的化学反应、自动化控制、高安全性等特点。
技术参数（可量身定制）
温度：0-2000 ℃
流量计：三路质子流量计，双卡套不锈钢接头，316L耐腐蚀材料
